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来源:http://www.hhkart.com 责任编辑:918博天堂 2018-08-29 12:29

  SiC应用市场起飞英飞凌积极布局

  

因应节能减碳风潮,碳化硅(SiC)因具备更高的开关速度、更低的切换损失等特性,可实现小体积、高功率目标,因而跃居电源设计新星;其应用市场也跟着加速起飞,未来几年将扩展进入更多应用领域,而电源芯片商也加快布局脚步,像是英飞凌(Infineon)便持续扩增旗下CoolSiC MOSFET产品线,瞄准太阳能发电、电动车充电系统和电源供应三大领域。 英飞凌工业电源控制事业处大中华区应用与系统总监马国伟指出,相较于Si功率半导体,SiC装置更为节能;且由于被动元件的体积缩小,因此提供更高的系统密度。除了电动车之外,SiC未来几年将会更加普及于各种应用领域,像是光电、机器人、工业电源供应、牵引设备及变速马达等。英飞凌将持续以SiC沟槽式(Trench)技术推出CoolSiC MOSFET系列产品,提供高性能、高可靠性,以及高功率密度且具成本效益的解决方案。

  马国伟进一步说明,以往的MOSFET多采用平面的方式设计,此一方式在导通状态下,需要在性能及闸极氧化层可靠性之间作取舍;但使用沟槽式技术后,在不违反闸极氧化层可靠性的条件下,可更容易达到高性能的要求。换言之,运用沟槽式技术,可实现更佳的闸极氧化层可靠性,达到硅(Si)材料开关元件无法达到的开关效率,进而减小整体系统的体积和提高功率密度。

  据悉,为布局SiC应用市场,英飞凌于2017年便已发布CoolSiC模组“EASY 1B”,更于2018德国纽伦堡电力电子系统及元器件展(PCIM Europe)再推出一系列CoolSiC产品,包括半桥式拓扑CoolSiC模组“EASY 2B”,以及采用62mm半桥式技术的CoolSiC模组。

  2017年发表的EASY 1B导通电阻仅45mΩ,适用于马达驱动、太阳能或焊接技术领域;而新推出的EASY 2B模组,每个开关的导通电阻为8mΩ,适用于50kW以上及快速切换操作的应用,包括太阳能变频器、快速充电系统或不断电系统解决方案。至于62mm半桥式技术模组,则具备更高功率,其每个开关的导通电阻仅6mΩ,有助于实现中功率等级系统的低电感连接,可在各种不同的应用领域中发挥作用,包括医疗技术或铁道用辅助电源供应等。

  马国伟透露,目前该公司旗下的CoolSiC MOSFET会先以1200V的产品为主,因为在工业应用市场,1200V是最常见的电压;当然,该公司也会持续推出相关解决方案,依照不同应用需求研发1200V以上/以下、体积更小、导通电阻更低的产品。